從研究開發(fā)到工藝生產(chǎn)使用,從表面微細(xì)加工到表面處理改質(zhì),等離子設(shè)備有著非常廣泛的社會(huì)應(yīng)用需求。
等離子設(shè)備在半導(dǎo)體、電子材料干式清洗中的應(yīng)用越來越廣泛,如硅晶片的光刻膠剝離、除去有機(jī)膜、界面活性化、微細(xì)研磨、除去碳化膜等領(lǐng)域,YAMATO科學(xué)的等離子產(chǎn)品都發(fā)揮了積極作用。
YAMATO科學(xué)的等離子表面處理設(shè)備除了半導(dǎo)體相關(guān)的清洗用途外,在其他各種領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。
等離子處理對(duì)其他各種粘接,涂層,鍍膜等強(qiáng)度提高都有顯著效果。
DP模式圓柱型?PR/PB系列
晶圓光刻膠的剝離、使用氧氣或氬氣進(jìn)行有機(jī)膜的去除、表面活性化、微研磨或碳膜去除等廣泛領(lǐng)域中使用。
RIE?DP方式平行平板型?PDC/V系列
RIE/DP 2種模式的等離子處理,可以使用于硅晶圓的蝕刻、干洗、以及傳感器等各種COB表面活性化處理,提高導(dǎo)線焊接的穩(wěn)定性,金屬氧化物、金屬氫氧化物的蝕刻及去除電極表面的接合阻礙物。
圓柱型構(gòu)造(DP)
控制面板
PLASMA?SUPER?CLEANER
IC封裝技術(shù)
BGA(all Grid Array Package)
BGA型 LSI
BGA封裝的等離子清洗效果
等離子裝置的刻蝕及灰化方式
蝕刻
灰化
膠膜的灰化
等離子裝置的刻蝕及灰化方式
IC封裝由陶瓷變?yōu)殍T型樹脂,導(dǎo)線從Ni、Ai變更為Cu。對(duì)于這些產(chǎn)品進(jìn)步確實(shí)可以對(duì)應(yīng)的等離子蝕刻·清洗技術(shù)。
Ar等離子去除金屬氧化物(PDC/V/ISP系列)
基板的清洗(V系列/ISP型)
等離子蝕刻及灰化方式
有機(jī)膜去除
成型品離形劑
錫焊殘?jiān)?/span>
油·潤(rùn)滑脂(薄膜)
有機(jī)膜(播磨)
表面改質(zhì)
聚酯
聚丙烯
特氟龍
陶瓷
聚酰亞胺
表面清洗
材料表面
表面蝕刻
玻璃環(huán)氧樹脂
聚酰亞胺
金屬氧化物去除
Cu 2 O,CuO
干法刻蝕
桶型
DP
化學(xué)蝕刻(各向同性)
平行平板
飛濺
物理蝕刻(各向異性)
測(cè)定數(shù)〔例〕
測(cè)定位置
硅晶片 8inch
平行平板電極 實(shí)驗(yàn)1
試料膠:硅晶片 8inch
膠:正片型
電極
平行平板電極 作業(yè)面Φ350 電極間距離60mm
RF功率
500W
處理時(shí)間
5分
氣體流量
500sccm
壓力
100Pa
作業(yè)面溫度
180℃
測(cè)定位置
①
②
③
④
⑤
平均值
ini(A)
40290
40540
40930
40620
40670
40610
after(A)
18350
19980
15930
16150
16690
17420
ini-after(A )
21940
20560
25000
24470
23980
23190
reta(A/min)
4388
4112
5000
4894
4796
4638
最大值
最小值
均一性
5000
4112
9.573092
平行平板電極 實(shí)驗(yàn)2
試料膠:硅晶片 8inch
膠:正片型
電極
平行平板電極 作業(yè)面Φ350 電極間距離60mm
RF功率
500W
處理時(shí)間
5分
氣體流量
500sccm
壓力
100Pa
作業(yè)面溫度
160℃
測(cè)定位置
①
②
③
④
⑤
平均值
ini (A)
40450
40480
40820
40780
40560
40618
after(A)
25290
24780
24250
24640
23890
24570
ini-after(A)
15160
15700
16570
16140
16670
16048
reta(A/min)
3032
3140
3314
3228
3334
3209.6
最大值
最小值
均一性
3334
3032
4.704636